中國半導體芯片技術(shù)與國外相比存云泥之別

對關(guān)乎中國高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的半導體顯示和半導體芯片這兩個領(lǐng)域，上周TCL集團董事長李東生發(fā)表觀點認為：在2019年前后，中國在半導體顯示方面將會成為全球產(chǎn)量最大的國家。不過在半導體顯示和半導體芯片領(lǐng)域，中國企業(yè)依然存在很大的技術(shù)差距。

　　半導體顯示：中國要成為全球技術(shù)領(lǐng)先國家，還有待努力

　　電子信息產(chǎn)業(yè)的兩個核心基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)一是半導體芯片，二是半導體顯示，這兩個產(chǎn)業(yè)資本投入巨大，每個項目的投資都達到500億，甚至更多。

　　中國在半導體顯示領(lǐng)域的步伐走的更早更快一些，市場化程度更高。目前國內(nèi)有40條已建和在建的半導體顯示生產(chǎn)線，其中有4 條高世代TFT-LCD 產(chǎn)線以及4 條OLED 產(chǎn)線在建，總投資額達2000 億元。目前中國企業(yè)在半導體顯示產(chǎn)業(yè)鏈累計投資已超過700億美元，覆蓋中小尺寸顯示屏和彩電用大尺寸顯示屏。

　　李東生認為，按照未來發(fā)展的趨勢，中國半導體顯示產(chǎn)業(yè)有信心在2019年前后成為全球產(chǎn)量最大的國家，不過要成為全球技術(shù)領(lǐng)先的國家，還有待努力。

　　“這些產(chǎn)業(yè)技術(shù)的門檻非常，很多技術(shù)的積累需要時間投入，企業(yè)需要有長遠的戰(zhàn)略。”李東生表示，半導體顯示項目的整個規(guī)劃和建設(shè)周期中是持續(xù)投入的過程，這個過程沒有效益，2、3年以后的效益提升也是一個逐步的過程，大家都知道良率爬坡過程很難。

　　另外，李東生坦言，與外資企業(yè)相比，中國企業(yè)進入半導體顯示領(lǐng)域相對時間較晚，與韓國的三星、LG、日本的夏普，日本顯示公司、東芝半導體以及臺灣地區(qū)的臺積電、友達、群創(chuàng)等先行企業(yè)相比，面臨著高昂的折舊攤銷成本，成本競爭力處于明顯劣勢。

　　根據(jù)面板上市公司披露的企業(yè)資產(chǎn)折舊和攤銷占比營收情況，2015年和2016年，韓國LGD折舊占營收分別只有11.4%%和11.9%，友達折舊占營收分別只有12.1%和13.3%，群創(chuàng)占比分別為14.4%和14.7%，而中國企業(yè)京東方折舊占營收的比重分別是18.0%和17.6%，華星光電分別達到20.7%和18.7%。

　　半導體芯片：TCL起步還在28納米，國外已經(jīng)是8納米

　　中國企業(yè)在半導體芯片產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平也是相對落后的。據(jù)李東生介紹，TCL目前主要投資了兩家芯片設(shè)計公司，雖然起步不晚，但是之前做的項目確實缺乏競爭力，和臺積電、三星半導體比，中國自己在芯片產(chǎn)業(yè)上的規(guī)模和盈利方面差的比較遠。

　　“這個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展可能還需要很大的投入，可能還需要多點的時間，技術(shù)領(lǐng)域差距也是比較大的”，李東生認為在技術(shù)上主要體現(xiàn)在一個平方面積里面能夠做的晶體管數(shù)量，這塊又體現(xiàn)的是納米間距。TCL現(xiàn)在起步還是在28納米，國外已經(jīng)是8納米，量產(chǎn)已經(jīng)達到16納米，TCL不可能從16納米開始，因為這個技術(shù)難度太高了，一定是從28納米再到14納米，然后再到7納米，這是一個轉(zhuǎn)變的過程。

　　雖然半導體芯片行業(yè)中國企業(yè)仍任重道遠，但李東生對這個行業(yè)前景十分有信心。去年下半年，半導體芯片存儲器價格上漲非常快，很大的原因就是這個行業(yè)由于之前資本回報率不高，大家都不愿意投，但需求在過去幾年出乎意料快速增長，導致價格上漲很快。芯片存儲器是大部分電子產(chǎn)業(yè)都需要的，智能電視、智能手機、電腦、平板電腦以及很多的智能終端都需要。沒有足夠的存儲空間，就很難支持各種應用，所以這個需求可以預測是快速增長。

　　目前，國家已經(jīng)成立了集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金，該基金對于半導體芯片產(chǎn)業(yè)給了很多項目支持，武漢市目前已建立了半導體芯片基地，此外上海、南京、北京等地區(qū)在半導體芯片方面的投入也很大。（明彥華）